高校、硅材料实验室、微电子专业高温氧化炉 晨立电子
用途:
主要用于各大高校、硅材料实验室、及微电子专业对半导体6寸及以下硅片的高温扩散、氧化(湿氧)、退火、烧结合金工艺的教学和实验工作。
1.1、工作温度:400-1300℃
1.2、恒温区长度及精度: 300mm /±0.5℃(可选)
1.3、炉管数:一、二、三、四管(可选)
1.4、适应硅片尺寸: 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式:自动或手动(可选)
展开全文
相关产品
用途:
主要用于各大高校、硅材料实验室、及微电子专业对半导体6寸及以下硅片的高温扩散、氧化(湿氧)、退火、烧结合金工艺的教学和实验工作。
1.1、工作温度:400-1300℃
1.2、恒温区长度及精度: 300mm /±0.5℃(可选)
1.3、炉管数:一、二、三、四管(可选)
1.4、适应硅片尺寸: 6寸及向下兼容
1.5、送取片方式:自动或手动(可选)